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   日期:2019-01-08     来源:山东望舒国际贸易有限公司    浏览:19    评论:0    
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为了提高汽车被动安全性,设计吸能效率高的保险杠已成为汽车安全的主要课题之一。针对传统保险杠吸能效率低且不具备随碰撞环境自适应变化的缺点,提出了一种可应用于汽车碰撞的磁流变ENIDINE缓冲器结构,替代传统保险杠起到碰撞吸能的效果。运用非线性有限元软件LS-DYNA对磁流变ENIDINE缓冲器的缓冲性能进行仿真,并与传统汽车进行对比研究。结果表明,基于磁流变ENIDINE缓冲器的汽车能有效降低碰撞时产生的冲击力、加速度,提高汽车的碰撞安全性。相比于传统的CMOS电路,单电子晶体管(singleelectrontransistor,SET)电路具有小尺寸和低功耗等优点。当前工艺下制备出来的SET已经能在室温下正常工作,同时,在制备工艺上,SET逐渐与CMOS兼容,更进一步推进了SETMOS混合逻辑向实用化趋近。

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基于修正的Bingham塑性(ModifiedBingham-plastic,BPM)模型,以阻尼力和动态范围***化为优化目标,采用改进的非支配排序遗传算法多目标优化算法(Non-dominatedsortinggeneticalgorithmII,NSGAII)对MRENIDINE缓冲器的关键几何参数进行优化,通过搭建的跌落试验平台对MRENIDINE缓冲器的工作特性进行试验研究。研究结果表明,与Bingham塑性模型相比较,BPM模型能够较好地预测高速下MRENIDINE缓冲器的力学特性,试验结果与理论计算一致,采用BPM模型可提高设计的精度;采用多目标优化设计方法,可为MRENIDINE缓冲器设计提供一系列的Pareto优化前沿解,形成不同系列的设计方案,这对MRENIDINE缓冲器的工程应用具有重要的意义。

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因此,ENIDINE分析研究了在室温条件下SET的新特性,基于SETMOS混合结构设计了类伪NMOS逻辑和可重构逻辑等,主要创新工作体现在:1.改进了SET的电导分析模型,并基于改进了的电导分析模型对其电导特性进行了初步分析。基于此模型,我们对栅-源、源-漏的电导特性进行了验证,其结果与SET的I-V特性如库仑振荡、库仑阻塞和库仑台阶等完全相符。特别地,通过分析证明,该模型适用于0KT≤300K下的SET。此外,我们还利用该电导分析模型对SET负微分电导进行了验证和初步分析。2.提出了能量量子化条件下的SET分析模型,并对该模型进行了验证。从正则理论出发,计算出室温条件下SET的临界尺寸:存储器件为6.9nm,逻辑器件为1.7nm;计算出SET室温下发生能量量子化效应的临界尺寸:2.3nm。

 
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